भाग संख्या | FF900R12IE4PBOSA1 |
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उत्पादक | Infineon Technologies |
विवरण | IGBT MOD 1200V 900A 20MW |
ईएडी फ्री / आरओएचएस स्थितिL | सीसा रहित / RoHS अनुरूप |
स्टॉक में 1840 pcs | |
संदर्भ मूल्य
(अमेरिकी डॉलर में) |
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टाइप | विवरण |
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भाग संख्या: | FF900R12IE4PBOSA1 |
उत्पादक: | Infineon Technologies |
विवरण: | IGBT MOD 1200V 900A 20MW |
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | Lead free / RoHS Compliant |
उपलब्ध मात्रा: | 0 |
डेटा शीट: | FF900R12IE4PBOSA1 PDF |
श्रेणी: | discrete semiconductor products |
फ़िल्टर: | transistors - igbts - modules |
विन्यास: | Half Bridge |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): | 900 A |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): | 5 mA |
आईजीबीटी प्रकार: | Trench Field Stop |
इनपुट: | Standard |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) @ वीसीई: | 54 nF @ 25 V |
माउन्टिंग का प्रकार: | Chassis Mount |
एनटीसी थर्मिस्टर: | Yes |
परिचालन तापमान: | -40°C ~ 150°C |
पैकेज / मामला: | Module |
शक्ति - मैक्स: | 20 mW |
उत्पाद की स्थिति: | Active |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | Module |
वीसीई (ऑन) (अधिकतम) @ वीजीई, आईसी: | 2.1V @ 15V, 900A |
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): | 1200 V |
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